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    光刻機行業發展趨勢

    2020-04-17 10:38:51報告大廳(www.funouting.cn) 字號:T| T

      2020年光刻機總需求量將超過250臺/年。隨著曝光光源的改進,光刻機工藝技術節點不斷縮小。光刻設備從光源、曝光方式不斷進行著改進。以下對光刻機行業發展趨勢分析。

      隨著產業轉移和建廠潮的推動和邊際需求改善,光刻機市場將不斷增長。光刻機行業分析預計到2025年全球光刻設備市場規模估計將達到4.917億美元;從2017年到2025年的復合年增長率將達到為15.8%。

      光刻機市場規模不斷增長

    光刻機行業發展趨勢

      光刻機采購節奏是內資產線資本支出的關鍵信號。內資產線一般會優先采購價值量和技術難度最高的光刻機。從長江存儲、華力微、華虹無錫、中芯紹興以及株洲中車的光刻機采購情況來看,各產線2019Q4至今光刻機合計采購量可觀,預示其2020年內資產線資本支出將進一步提升。現從三大創新來分析光刻機行業發展趨勢。

      創新一:實現步進式掃描投影。光刻機行業發展趨勢分析,此前的掃描投影式光刻機在光刻時硅片處于靜止狀態,通過掩模的移動實現硅片不同區域的曝光。1986年ASML首先推出步進式掃描投影光刻機,實現了光刻過程中,掩模和硅片的同步移動,并且采用了縮小投影鏡頭,縮小比例達到5:1,有效提升了掩模的使用效率和曝光精度,將芯片的制程和生產效率提升了一個臺階。

      創新二:雙工作臺光刻機。硅片在進入光刻流程前要先進行測量和對準,過去光刻機只有一個工作臺,測量、對準、光刻等所有流程都在這一個工作臺上完成。光刻機行業發展趨勢分析,2001年ASML推出了雙工作臺系統(TWINSCAN system),雙工作臺系統使得光刻機能夠在不改變初始速度和加速度的條件下,當一個工作臺在進行曝光工作的同時,另外一個工作臺可以同時進行曝光之前的預對準工作,使得光刻機的生產效率提升大約35%。

      創新三:浸沒式光刻系統。光刻機行業發展趨勢分析,到了45nm制程節點時,ArF光刻機也遇到了分辨率不足的問題,此時業內對下一代光刻機的發展提出了兩種路線圖。一是開發波長更低的157nmF2準分子激光做為光源,二是由2002年臺積電林本堅提出的浸沒式光刻。此前的光刻機都是干式機臺,曝光顯影都是在無塵室中,以空氣為媒介進行。由于最小分辨率公式中的NA與折射率成正相關,如果用折射率大于1的水做為媒介進行光刻,最小分辨率將得到提升,這就是浸沒式光刻系統的原理。

      中國目前的光刻機技術還在起步探索階段,雖然取得了一些小成就,但離國外先進技術差距還很大,希望通過目前科研人員的努力,能真正用上性能強,穩定性高的高端國產芯片。

    (本文著作權歸原作者所有,未經書面許可,請勿轉載)
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